SiC(Semiconductor materials)
SiC 고순도 파우더 제조 기술과 관련 유기/무기 원재료 합성 기술
순도 99.9999% 이상의 SiC 분말을 제조하는 기술로, SiC 잉곳 성장의 출발 물질이 되는 고순도 파우더 생산을 가능하게 합니다. 이를 통해 현재 S사 등과 유기 규소 화합물을 합성하여 열분해 하거나, 고순도 실리카와 탄소원 재료를 반응시켜 SiC 분말을 얻는 등의 공정을 통해 자체적인 고품질 원재료 공급망을 갖추고 있습니다.
High-Purity SiC Powder
Product Description
첨단 무기 및 유기 합성 기술을 통해 개발된 이 분말은 고성능 반도체 및 디스플레이 제조 공정을 위해 설계되었습니다.
8-inch SiC Single Crystal Ingot
Product Description
첨단 다중존 저항 가열 시스템과 정밀 절단 기술을 적용하여 제작된 이 잉곳은 대구경 SiC 웨이퍼 생산에 대한 당사의 역량을 보여줍니다.
8-inch SiC Wafer for Power Devices in Electric Vehicles
Product Description
고효율 전력 변환을 위해 설계된 이 전도성 SiC 웨이퍼는 차세대 전기차 인버터와 초고속 충전 시스템을 지원하며, 기존 실리콘 웨이퍼 대비 더 높은 전력 밀도와 향상된 열 성능을 구현합니다.
8-inch Semi-Insulating SiC Wafer for Communication
Product Description
이 웨이퍼는 고주파·고출력 RF 및 마이크로파 통신 시스템을 위해 설계되었으며, 뛰어난 열전도성과 낮은 신호 손실 특성을 제공합니다. 8인치 직경을 통해 대규모 소자 제작이 가능하여 제조 효율과 수율을 향상시킵니다. 반절연 특성으로 전기적 누설을 최소화하여 5G 기지국, 위성 통신, 레이더 시스템, 첨단 무선 인프라에 이상적입니다. 이번 전시는 차세대 통신 기술 수요를 충족하기 위한 대구경 고품질 반절연 SiC 웨이퍼를 생산할 수 있는 UNIS의 역량을 보여줍니다.
8-inch SiC Wafer for AR Lenses
Product Description
이 웨이퍼는 첨단 증강현실(AR) 광학 시스템에 사용되도록 설계되어, 뛰어난 광학 투명성, 기계적 강도, 열 안정성을 제공합니다. 8인치 직경을 통해 대규모 렌즈 기판 생산이 가능해져 AR 디바이스 제조 효율을 향상시킵니다. SiC의 높은 굴절률과 내구성은 강렬한 투사광과 환경적 스트레스를 견뎌야 하는 얇고 가벼운 AR 렌즈에 이상적입니다. 이번 전시는 차세대 AR 글래스 및 헤드셋의 정밀 광학을 위해 최적화된 고순도·결함 제어 SiC 웨이퍼를 생산할 수 있는 UNIS의 역량을 보여줍니다.
UNIS’s 200mm SiC Ingot & Wafer (전력반도체용) 특징 및 장점
대구경화에 따른 생산성 향상
8인치(200 mm) 웨이퍼는 6인치 대비 약 78% 더 넓은 유효 면적을 제공하여, 웨이퍼당 칩 생산 수량이 증가.
칩당 제조 단가 절감 및 대량 생산 효율 향상.
우수한 결정 품질
낮은 마이크로파이프 밀도(≤ 0–10 cm⁻²)로 웨이퍼 전 영역의 전기적 특성 균일성 확보.
정밀한 결정 방향(<0001> ± 0.5°)으로 소자 성능 및 공정 일관성 향상.
우수한 전기적 성능
MOSFET, SBD, IGBT 등 다양한 소자 요구에 맞춘 n형·p형 도핑 옵션 제공.
저저항 범위(n형 기준 0.015 ~ 0.030 Ω·cm)로 높은 전류 처리 및 낮은 전도 손실 실현.
정밀 표면 가공 품질
CMP 연마 표면(전면 Ra ≤ 0.2 nm)로 첨단 리소그래피·에피택시 공정에 최적화.
낮은 TTV(≤ 10 µm)로 박막 소자층의 두께 균일성 향상.
우수한 열·기계적 특성
높은 열전도율로 효율적인 발열 억제 및 고전력 설계 가능.
넓은 밴드갭(3.26 eV)으로 고전압 동작 및 스위칭 손실 감소.
얇은 웨이퍼에서도 안정적인 기계적 강도 확보.
첨단 제조 기술 적용
대구경 성장 안정화를 위한 열역학 설계 및 히터 시스템 스케일업.
레이저 슬라이싱 기술 적용으로 기존 다이아몬드 와이어 대비 재료 손실 최소화 및 수율 개선.
접합 웨이퍼 제조 능력으로 다양한 고성능 소자 구조 지원.
| 항목 | 6인치 | 8인치 | 비고 |
|---|---|---|---|
| 직경 | 1500mm | 2000mm | 약 33% 증가 |
| 면적 | 약 17,671㎟ | 약 31,416㎟ | 약 78% 증가 |
| 동일 이곳 대비 웨이퍼 수 | 기준 | 약 1.78배 | 절단 손실등 고려할 부분 |
| 웨이퍼당 칩 수(5mm기준) | 약 260개 | 약 460개 | 약 77% 증가 |
| 단일 칩 생산 단가 | 상대적으로 높음 | 낮아짐(면적 대비 효율 상승) | 생산성 향상 |
| 장비 생산 효율 | 낮음 | 높음 | 장비 1기 기준 생산량증가 |
